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ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
发布时间： 2022/6/9 15:49:15 | 1086 次阅读
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工况下发生杂散导通现象。这两款驱动器都提供4A的栅极控制信号，双输出引脚为栅极驱动带来更多灵活性，支持开通和关断时间单独调整。有源米勒钳位功能可防止栅极在半桥拓扑快速换向过程中出现尖峰电压。
电路保护功能包括过热保护、安全操作看门狗，每个通道都有欠压锁定 (UVLO)机制，防止驱动器在危险的低效模式下启动。按照 SiC MOSFET的技术要求，STGAP2SICD 提高了 UVLO的阈值电压，以优化晶体管的能效。
每款器件都有一个在双低边不对称半桥应用中同时开通两个通道的iLOCK 引脚和防止在传统的半桥电路中出现直通电流的互锁保护机制。这两款驱动器在高压轨上的额定电压都达到 1200V，输入到输出传播时间为 75ns，PWM控制精度很高。
意法半导体的新双通道电流隔离栅极驱动器具有专用的关断引脚和制动引脚，以及待机省电引脚，目标应用包括电源、电机、变频器、焊机和充电器。此外，输入引脚兼容3.3V的TTL和 CMOS 逻辑信号，以简化驱动器与主微控制器或DSP处理器的连接。
IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工况下发生杂散导通现象。这两款驱动器都提供4A的栅极控制信号，双输出引脚为栅极驱动带来更多灵活性，支持开通和关断时间单独调整。有源米勒钳位功能可防止栅极在半桥拓扑快速换向过程中出现尖峰电压。
电路保护功能包括过热保护、安全操作看门狗，每个通道都有欠压锁定 (UVLO)机制，防止驱动器在危险的低效模式下启动。按照 SiC MOSFET的技术要求，STGAP2SICD 提高了 UVLO的阈值电压，以优化晶体管的能效。
每款器件都有一个在双低边不对称半桥应用中同时开通两个通道的iLOCK 引脚和防止在传统的半桥电路中出现直通电流的互锁保护机制。这两款驱动器在高压轨上的额定电压都达到 1200V，输入到输出传播时间为 75ns，PWM控制精度很高。
意法半导体的新双通道电流隔离栅极驱动器具有专用的关断引脚和制动引脚，以及待机省电引脚，目标应用包括电源、电机、变频器、焊机和充电器。此外，输入引脚兼容3.3V的TTL和 CMOS 逻辑信号，以简化驱动器与主微控制器或DSP处理器的连接。